收藏本站
Si4770/77-A20
Table 9. Thermal Conditions
Parameter
Ambient Temperature
Junction Temperature
Delta from Junction to Ambient *
Symbol
T AMB
T J
θ JA
Test Conditions
—
—
—
Min
–40
—
—
Typ
25
—
27
Max
85
115
—
Unit
°C
°C
°C/W
*Note: The θ JA is layout-dependent, and, therefore, PCB layout must provide adequate heat-sink capability. The θ JA is
specified assuming adequate ground plane.
Table 10. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Analog Supply Voltage
Digital Supply Voltage
I/O 1 Supply Voltage
I/O 2 Supply Voltage
Symbol
V A
V D
V IO1
V IO2
Min
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
Max
5.9
3.9
3.9
3.9
Unit
V
V
V
V
I/O 1 Input
Current 2
I IN1
–10
10
μA
I/O 1 Input Voltage 2
I/O 2 Input Current 3
I/O 2 Input Voltage 3
Operating Temperature
Storage Temperature
AM RF Input Level 4
AM RF Input Current 4
V IN1
I IN2
V IN2
T OP
T STG
V RFIN
I RFIN
–0.3
–10
–0.3
–40
–55
–1
–100
V I01 + 0.3
10
V I02 + 0.3
95
150
V A + 1
100
V
μA
V
°C
°C
V
mA
FM RF Input Level
5
V RFIN
–1
1
V
FM RF Input Current 5
HBM ESD
MM ESD
I RFIN
V HBM
V MM
–100
–2
–200
100
2
200
mA
kV
V
CDM
ESD 6
V CDM
–500
500
V
CDM ESD 7
V CDM
–750
750
V
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation should be
restricted to the conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure beyond recommended
operating conditions for extended periods may affect device reliability.
2. For input pins SCL, SDA, RSTB, A0, A1, GPIO1, GPIO2.
3. For input pins DCLK and DFS.
4. At RF input pins AM1.
5. At RF input pins FMXIN, FMXIP, FMI, FMAGC1, FMAGC2.
6. All pins.
7. Corner pins.
Rev. 0.9
19
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4804CDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
SI4808DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4812BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4814BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4816DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4818DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4834BDY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
Si4777-A20-GMR 功能描述:射频接收器 Hi-Performance CE AM/FM Rcvr/HD-Tuner RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:GPS Receiver 封装 / 箱体:QFN-24 工作频率:4.092 MHz 工作电源电压:3.3 V 封装:Reel
SI4778DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SI4778DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4778DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4779CY 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 30V RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI4779CY-E3 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 30V RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI4779CY-T1-E3 功能描述:电源开关 IC - 配电 Hi-Side N-Channel RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI477x 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Si477X EVALUATION BOARD USERa??S GUIDE